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J-GLOBAL ID：200903044823327288

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： 紀之定 俊明
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991284286
Publication number (International publication number)：1993121430
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高い電流利得を有し、かつ製造の容易なGaInP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を提供する。【構成】 エミツタ層16を構成するGaInPとベース層14を構成するGaAsとの間に、組成グレーデッドAlGaAsエミツタ遷移層15を設ける。

Claim (excerpt)：

エミツタ層を構成するGaInPとベース層を構成するGaAsとの間に、組成グレーデッド遷移層を有するGaInP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記組成グレーデッド遷移層はAlGaAsからなることを特徴とするGaInP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205