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J-GLOBAL ID：200903044828389958

半導体装置の製造方法

Inventor： 岡林 秀和 ,  遠藤 將一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 武田 正彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992227808
Publication number (International publication number)：1993211238
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、緻密で且つ絶縁膜に十分に密着した新規な電極及び配線を備え、配線の製造歩留まりや信頼性の高い半導体装置を製造する。【構成】 基板上に形成された絶縁膜上に金属膜を堆積させ、或いはさらにパッシベーション膜を形成し、該堆積した金属膜或いはパッシベーション膜を常圧を超える圧力の静水圧で加圧することにより、膜の緻密化や絶縁膜との密着性を向上させ、高品質で且つ安定した配線又は電極を備える半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

基板に形成された絶縁膜上に金属膜を堆積させ、該堆積した金属膜面を常圧を超える圧力の静水圧で加圧し、前記絶縁膜に密着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-174947
  
• 特開平1-128527
  
• 特開昭63-308350
  
• 特開平3-222332