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J-GLOBAL ID：200903044845010431

半導体レーザ素子

Inventor： 岩井 則広 ,  粕川 秋彦
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994065822
Publication number (International publication number)：1995283476
Application date： Apr. 04, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 基板と反対側の面に形成される電極の上面を平坦にし、この面にジャンクションダウンボンディング方式を使用してヒートシンクを接着した場合、接着が良好で放熱特性を良好にする半導体レーザ素子を提供する。【構成】 活性層5を挟んで形成される上下のクラッド層のいづれか一方に接し、ストライプに対応する領域を除いた領域に形成され、クラッド層の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有し、接して形成されるクラッド層と同一導電型の半導体層よりなる電流阻止層を有する半導体レーザ素子である。

Claim (excerpt)：

活性層(5)と、該活性層(5)を挟んで形成される上下のクラッド層(6)(4)と、該上下のクラッド層(6)(4)のいづれか一方に接するかまたは該上下のクラッド層(6)(4)のいづれか一方の中にこれに平行に埋設されるかし、ストライプに対応する領域を除いた領域に形成され、前記クラッド層(6)(4)の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する半導体層よりなる電流阻止層(2)とを有することを特徴とする半導体レーザ素子。