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J-GLOBAL ID：200903044854222514

アクチュエータ素子の製造方法

Inventor： 安積 欣志 ,  藤原 直子
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001369550
Publication number (International publication number)：2003170400
Application date： Dec. 04, 2001
Publication date： Jun. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】変位量および変位力が大きく、構造が簡単で、小型化が容易であり、かつ応答が早く、柔軟なアクチュエータ素子の製造方法を提供する。【解決手段】アニオン交換樹脂成形品の表面に、相互に絶縁状態で金属電極を形成し、次いで、該金属電極上に、電解重合法によって電子導電性高分子膜を形成することを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

アニオン交換樹脂成形品の表面に、相互に絶縁状態で金属電極を形成し、次いで、該金属電極上に、電解重合法によって電子導電性高分子膜を形成することを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法。

IPC (3)：

B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H02N 2/00

FI (3)：

B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H02N 2/00 Z