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J-GLOBAL ID：200903044859828143

プラズマ表面処理方法及びその装置

Inventor：
岡本 克也

About 岡本 克也

, 
中島 晃治

About 中島 晃治


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003282628
Publication number (International publication number)：2005050723
Application date： Jul. 30, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】本発明は、大気圧下あるいは大気圧近傍下において、被処理体の材質を問わず、被処理体表面へのダメージが少なく、大面積の被処理体にも対応可能であり、均一で効率のよい表面処理が可能なプラズマ表面処理方法及びその装置を提供することを目的とする。【解決手段】大気圧下あるいは大気圧近傍下にあって、誘電体層を介して放電電極と誘導電極を対向させた沿面放電用電極を少なくとも1つ以上有する反応部にプラズマ生成用ガスが導入された後、沿面放電によるプラズマ生成用ガスのプラズマ励起にて、放電電極表面に活性種が生成され、活性種を反応部に設けた吹き出し口より被処理体表面に移動させ、被処理体表面を処理する構成とした。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
大気圧下あるいは大気圧近傍下にあって、誘電体層を介して放電電極と誘導電極を対向させた沿面放電用電極を少なくとも1つ以上有する反応部にプラズマ生成用ガスが導入された後、沿面放電による該プラズマ生成用ガスのプラズマ励起にて、該放電電極表面に活性種が生成され、該活性種を反応部に設けた吹き出し口より被処理体表面に移動させ、被処理体表面を処理することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
IPC (3)：
H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31
FI (3)：
H05H1/24 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/302 101E
F-Term (20)：
5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BD01 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA21 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE29 ,  5F045EH04 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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