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J-GLOBAL ID:200903044861051342
相変化型光ディスク
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994203544
Publication number (International publication number):1996063781
Application date: Aug. 29, 1994
Publication date: Mar. 08, 1996
Summary:
【要約】【目的】非晶質記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、それにより結晶部分の吸収率を非晶質に比べて大きい状態にすることにより、相変化型光ディスクのオーバライト特性を改善し、高密度記録を可能にする新規な相変化型光ディスクを提供する。【構成】透明基板1上に、第一保護膜2、記録膜3、第二保護膜4、反射膜5を積層して相変化型光ディスクで構成し、反射膜5上には保護用として紫外線硬化樹脂6を塗布している。非晶質記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、それにより、結晶部分の吸収率が非晶質に比べて大きい状態を実現するには、例えば、GeSbTe記録膜の膜厚15nm、ZnS-SiO2第二保護膜の膜厚20nm、Al反射膜の膜厚60nmとしたとき、第一保護膜の膜厚80nmから120nmの範囲が採用される。
Claim (excerpt):
透明基板と、前記透明基板上に形成された第一の保護膜と、前記第一保護膜上に形成された相変化型情報記録膜と、前記相変化型情報記録膜上に形成された第二の保護膜と、前記第二の保護膜上に形成された反射膜とを有し、前記相変化型情報記録膜の結晶と非晶質間の可逆的な相変化を用い、レ-ザ光照射による前記相変化型情報記録膜の相状態変化によって情報の記録・再生・消去を行う相変化型光ディスクにおいて、前記相変化型情報記録膜に記録される非晶質記録マークの反射率をRa、前記相変化型情報記録膜の結晶部分の反射率をRc、前記非晶質記録マークの吸収率をAa、前記結晶部分の吸収率をAcとしたとき、Ra>Rc ならびに Ac>Aaであることを特徴とする相変化型光ディスク。
IPC (2):
G11B 7/24 521
, G11B 7/24 537
Patent cited by the Patent: