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J-GLOBAL ID：200903044871192513
プラズマエッチング装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993035906
Publication number (International publication number)：1994252097
Application date： Feb. 25, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】多層膜構造を有する高段差なパターン上に下地の削れが少なく、高精度な微細パターンを高速に形成することのできるプラズマエッチング装置を実現する。【構成】反応種の発生をプラズマ処理室のプラズマ発生と独立に制御できるようにすることにより、反応種量とイオン量、イオンエネルギを独立に適正値に制御する構成とし、エッチングの高選択化を図った。また、イオンの基板入射の垂直性を向上する低い圧力での処理、及び基板近傍に磁場を発生させないプラズマ発生方式により高精度化をはかった。【効果】表面の凹凸が大きい高集積半導体素子のパターン形成を信頼性よく生産することができ、半導体素子の生産性向上が図れると共に、半導体素子製造の歩留まり向上が図れる。
Claim (excerpt)：
プラズマエッチング処理室と、エッチングガスを予め分解して反応種を生成する反応種発生室とを備え、前記反応種発生室で生成された反応種を前記プラズマエッチング処理室に供給するようにしたプラズマエッチング装置において、前記反応種発生室をプラズマエッチング処理室とは独立に配設すると共に、前記プラズマエッチング処理室内に配設されたステージ電極に高周波バイアスを独立に印加し、前記ステージ電極に載置された試料基板に入射するイオンエネルギを独立に制御する手段を配設して成り、反応種発生と、プラズマ発生と、イオンエネルギ制御とをそれぞれ独立に制御できるように構成して成るプラズマエッチング装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
Cited by examiner (6)
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