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J-GLOBAL ID：200903044871687059

シリコン太陽電池素子及び製造方法

Inventor： 松熊 邦浩 ,  八木 秀幸 ,  穀内 滋 ,  内田 泰明 ,  木田 康博 ,  初見 君男 ,  朝日 忠夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992052674
Publication number (International publication number)：1993259488
Application date： Mar. 11, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン太陽電池素子を製造する工程を節減し、変換効率を高めることにある。【構成】 シリコン太陽電池素子1の低コスト化と高効率化を図るため、スクリーン印刷法で、アルミニウムペーストを用い、酸化膜3及びn+層14をファイヤースルーしてアルミニウムシリコン合金電極からなる第1の主電極15とn+層14に対して良好なpn接合特性をもつp+層13を形成できるように構成した。

Claim (excerpt)：

p型導電性のシリコン基板の受光面と反対側の表面に形成したp+型導電性の第1の層と、該第1の層に端面が接触し表面濃度が1×1019/cm3以下のn型導電性の第2の層と、前記第1の層に隣接するp型不純物源であり、前記第1の層を介して第2の層とpn接合で接触し、前記p型シリコン基板とはオーミック接触し、酸化膜により前記第2の層とは絶縁されているアルミニウムシリコン合金層からなる第1の主電極と、前記第2の層に底面が接触し酸化膜により前記第1の層とは絶縁されている第2の電極とを具備することを特徴とする太陽電池素子。

FI (2)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-165578
  
• 特開昭60-227483