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J-GLOBAL ID：200903044874861785

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 妹尾 雅之 ,  山田 孝夫 ,  板東 完治 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994014569
Publication number (International publication number)：1995221347
Application date： Feb. 08, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 第一に同一面側から電極を取り出す構造のチップに比べて、チップサイズを小さくして製造コストを下げ、第二に正電極と負電極間の短絡を防止して信頼性を高め、第三にp-n接合界面の面積を減じること無く発光効率を減少させない発光素子を提供する。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体が積層された面と対向するもう片方のサファイア基板面から、サファイア基板の一部が窒化ガリウム系化合物半導体層に達する深さで取り除かれて、窒化ガリウム系化合物半導体層が露出され、露出された窒化ガリウム系化合物半導体層表面に正、負いずれかの電極が形成されている。

Claim (excerpt)：

サファイア基板の片面に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されて、その窒化ガリウム系化合物半導体層に正、負一対の電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された面と対向するサファイア基板面から、サファイア基板の一部が窒化ガリウム系化合物半導体層に達する深さで取り除かれて、窒化ガリウム系化合物半導体層が露出され、露出された窒化ガリウム系化合物半導体層表面に正、負いずれかの電極が形成されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/12 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-004180
  
• 特開平1-138768
  
• 特開昭54-006787