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J-GLOBAL ID:200903044879566595

太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999175040
Publication number (International publication number):2001007365
Application date: Jun. 22, 1999
Publication date: Jan. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 多結晶膜状態でp型半導体となるカルコパイライト化合物または変形カルコパイライト化合物または酸化物材料であるCuAlO2 、SrCu2O2 などのCuを含む複合酸化物からなる層を太陽電池のp層窓材とすることにより、高効率で安価な太陽電池を提供する。【解決手段】 Si系の太陽電池であって、p型半導体層が多結晶薄膜であり、バンドギャップ2.4eV以上である太陽電池とした。
Claim (excerpt):
Si系の太陽電池であって、p型半導体層が多結晶薄膜であり、バンドギャップ2.4eV以上である太陽電池。
FI (2):
H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 E
F-Term (3):
5F051AA03 ,  5F051BA16 ,  5F051CA02

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