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J-GLOBAL ID：200903044883696592

窒化チタン膜の形成方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992293309
Publication number (International publication number)：1994151410
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 膜質の良いバリア性等にすぐれた窒化チタン膜を形成する。【構成】 電子サイクロトロン共鳴プラズマCVDによって窒化チタン膜112を形成し、続いて酸化処理を行う。

Claim (excerpt)：

電子サイクロトロン共鳴プラズマCVDによって窒化チタン膜を形成する工程と、続いて上記窒化チタン膜を酸化する工程とを採ることを特徴とする窒化チタン膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/90