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J-GLOBAL ID：200903044898959662

薄膜配線基板の製造方法

Inventor： 高田 俊克 ,  馬場 誠 ,  大野 猛
Applicant, Patent owner： 日本特殊陶業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999231267
Publication number (International publication number)：2001057471
Application date： Aug. 18, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【目的】 セラミック配線基板の表面を研磨加工することなく薄膜配線層を形成することができるとともに、薄膜配線の形成不良やビア導体の信頼性の低下を回避可能な薄膜配線基板の製造方法を提供すること。【構成】 焼成後に該セラミック配線基板の絶縁層又は誘電体層を形成するセラミックグリーンシートに穿設したビアホールに導電性ペーストを充填した後に、該セラミックグリーンシートに10〜200kg/cm2の圧力をかける。樹脂分を塑性変形させて焼成前の段階でビア導体の平坦性を向上させることができる。その結果、焼成後のビア導体部の凹凸を15μm以下に容易にコントロールできる。

Claim (excerpt)：

セラミック配線基板の表面を研磨加工することなく薄膜配線層を形成する薄膜配線基板の製造方法であって、焼成後に該セラミック配線基板の絶縁層又は誘電体層を形成するセラミックグリーンシートに穿設したビアホールに導電性ペーストを充填した後に、該セラミックグリーンシートに10〜200kg/cm2の圧力をかけることを特徴とする薄膜配線基板の製造方法。

IPC (2)：

H05K 3/40 ,  H05K 3/00

FI (2)：

H05K 3/40 K ,  H05K 3/00 J

F-Term (9)：

5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317BB16 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CD21 ,  5E317CD27 ,  5E317CD31 ,  5E317GG17