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J-GLOBAL ID：200903044905504161

プラズマCVD装置

Inventor： 上田 仁
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999151435
Publication number (International publication number)：2000345351
Application date： May. 31, 1999
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 内部電極方式で誘導結合型のプラズマCVD装置において定在波を制御可能な状態で積極的に活用し、プラズマの分布を良好に制御し、大面積基板の成膜に適したプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 このプラズマCVD装置は、成膜チャンバ11内で基板16a,16bに対面して配置された誘導結合型電極を備え、電極12は、線状導体をその中央点12aを基準に平面内に含まれるように折り返して形成され、かつ中央点が高周波給電点として構成される。この構成では、電極において所望の定在波を発生させ、定在波を積極的に活用してプラズマの分布を良好にする。

Claim (excerpt)：

反応容器内で基板に対面して配置された誘導結合型電極を備えるプラズマCVD装置において、前記電極は、線状導体をその中央点を基準に平面内に含まれるように折り返して形成され、前記中央点を高周波が供給される給電点としたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4)：

C23C 16/50 D ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M

F-Term (15)：

4K030BA30 ,  4K030FA04 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045EF03 ,  5F045EF20 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19