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J-GLOBAL ID：200903044910128550

磁気デバイス及びその製造方法、並びに固体磁気メモリ

Inventor： 田 透 ,  安居 伸浩
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000273948
Publication number (International publication number)：2002084018
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 CPP型GMRデバイスにおいて、ハード層の安定性に優れ、より高密度で、作製が容易な磁気デバイスを提供する。【解決手段】 基板上に細孔層があり、該細孔層の一部もしくは全てに強磁性層と非磁性層が積層されており、電流を該細孔の軸方向に印加して用いる磁気デバイスにおいて、保持力の高いハード強磁性層15と保持力の小さいフリー強磁性層14とが、非磁性層16を介して積層されており、ハード強磁性層15とフリー強磁性層14の含有元素は同じであるが、その元素の含有比率が異なることを特徴とする磁気デバイス;両層14、15を同一電着液中で電着電位を変化させて電着させることにより形成する磁気デバイスの製造方法;並びに、この磁気デバイスを具備する固体磁気メモリ。

Claim (excerpt)：

基板上に細孔が形成された細孔層を有し、且つ該細孔内の一部もしくは全てに強磁性層と非磁性層が積層されており、且つ電流を該細孔の軸方向に印加して用いる磁気デバイスにおいて、保持力の高いハード強磁性層と保持力の小さいフリー強磁性層とが、該非磁性層を介して積層されており、且つ該ハード強磁性層と該フリー強磁性層の含有元素は同じであるが、その元素の含有比率が異なることを特徴とする磁気デバイス。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (6)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

F-Term (8)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11