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J-GLOBAL ID：200903044910629142

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
糸長 総一郎

About 糸長 総一郎


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295292
Publication number (International publication number)：2002184717
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 シリサイド膜の熱処理における結晶粒の凝集を抑制して極端な局所的薄膜化部分や分断部分のない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層であるゲート電極4や高濃度ソース・ドレイン領域7などの上に金属膜であるコバルト膜を堆積し、第1の熱処理により、シリサイド化反応を起こさせて多結晶構造のコバルトシリサイド膜10aを形成する。次に、コバルトシリサイド膜10a内に砒素やシリコンなどのイオンを注入して、コバルトシリサイド膜10aをアモルファス構造のコバルトシリサイド膜10bに変える。あるいは、窒素をシリサイド膜に導入する。第2の熱処理を行なうと、結晶粒の凝集がほとんどない多結晶構造のコバルトシリサイド膜10cが得られる。窒素は、コバルトシリサイド膜の形成前に、半導体層のうちシリサイド化される部分に導入してもよい。
Claim (excerpt)：
一部がシリサイド化された部材を備えた半導体装置の製造方法であって、基板の半導体層の上に金属膜を形成する工程(a)と、第1の熱処理により、上記金属膜と上記半導体層との間でシリサイド化反応を起こさせて、上記半導体層の上に多結晶構造の第1のシリサイド膜を形成する工程(b)と、上記工程(b)の後、上記金属膜の未反応部を除去する工程(c)と、上記第1のシリサイド膜内に不純物イオンを注入して、上記第1のシリサイド膜をアモルファス構造の第2のシリサイド膜に変える工程(d)と、第2の熱処理により、上記第2のシリサイド膜をアモルファス構造から多結晶構造の第3のシリサイド膜に変えて、該第3のシリサイド膜を上記部材の少なくとも一部とする工程(e)とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (9)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 601 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (10)：
H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/265 601 Q ,  H01L 29/62 G ,  H01L 21/265 H ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 617 J
F-Term (114)：
4M104AA02 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH16 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM07 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ76 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F110AA03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK14 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK27 ,  5F110HK33 ,  5F110HK39 ,  5F110HK40 ,  5F110HK41 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA10 ,  5F140AB09 ,  5F140AB10 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG41 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BH22 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ21 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK32 ,  5F140BK34 ,  5F140BK35 ,  5F140BK37 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140BK40 ,  5F140CB04 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13 ,  5F140CF04
Patent cited by the Patent：
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