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J-GLOBAL ID：200903044910736704

半導体ファイルシステム

Inventor： 片山 国弘 ,  柿 健一 ,  大久保 京夫 ,  菊池 隆 ,  岸 正道 ,  鈴木 猛 ,  門脇 茂 ,  常広 隆司 ,  高谷 佳夫 ,  齊藤 学
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社 ,  日立京葉エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993175619
Publication number (International publication number)：1995036759
Application date： Jul. 15, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 メモリヘの書き込み速度の向上、長寿命化、低価格化、および信頼性向上を図った半導体ファイルシステムを提供する。【構成】 カード内部のコントロールを行うカードコントローラ9と、ファイルデータやカードコントローラの制御を司るマイコン7とを有する。さらに、ローカルメモリ6としてファイルデータ格納用メモリ1にフラッシュメモリとマスクROM(低価格である)を使用し、そのマスクROMをアトリビュート格納用メモリ2として共用する。また、PSRAM13をデータ管理情報(書換え回数を記録し、書換え回数の均等化を図るための情報)の一部である制御テーブル3、書き込み速度向上のためのライトバッファ4及び不要データ消去処理時のガーベイジバッファ5として使用する。

Claim (excerpt)：

電気的消去可能な第1の不揮発性メモリと、電気的消去不可能な第2の不揮発性メモリと、揮発性メモリと、これらのメモリを制御するコントローラと、上記コントローラを制御する制御部とを有して、外部から指定された論理アドレスに対応する物理アドレスにアクセスする半導体ファイルシステムにおいて、上記第1の不揮発性メモリは、外部で演算処理を行うためのデータと、該データが格納されている物理アドレスと論理アドレスとの対応を示す第1の管理情報と、上記第1の不揮発性メモリの状態を示す第2の管理情報とを記憶し、上記第2の不揮発性メモリは、外部と上記データを入出力するためのインターフェース情報と、上記データのうちの書替え不要なものとをあらかじめを記憶し、上記コントローラは、上記第1の不揮発性メモリからデータを出力する際および上記揮発性メモリにデータを入力する際に、上記物理アドレスの予め定められた上位ビットを構成する物理セクタアドレスを決定する制御手段と、上記決定された物理セクタアドレスを格納するセクタアドレス格納手段と、上記物理セクタアドレスで決まるセクタ内のアドレスを連続発生するアドレス連続発生手段とを有し、上記制御部は、上記インターフェース情報と上記第1、第2の管理情報とに従って、外部とのデータの入出力を制御し、外部から上記第1の不揮発性メモリへの書き込みデータを一旦上記揮発性メモリに記憶させた後、上記揮発性メモリから上記書き込みデータを上記第1の揮発性メモリに転送し、上記アドレス連続発生手段及びセクタアドレス格納手段は、上記第1の不揮発性メモリから上記物理セクタアドレスのデータを出力する際および上記揮発性メモリに上記物理セクタアドレスのデータを入力する際に、物理セクタアドレスおよび上記連続発生されたアドレスを上記第1の揮発性メモリおよび揮発性メモリに出力することを特徴とする半導体ファイルシステム。

IPC (3)：

G06F 12/00 520 ,  G06K 19/07 ,  G11C 16/06

FI (2)：

G06K 19/00 N ,  G11C 17/00 309 Z