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J-GLOBAL ID:200903044925175288

低級炭化水素の芳香族化合物化触媒ならびに低級炭化水素を原料とする芳香族化合物及び水素の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 横井 幸喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000160615
Publication number (International publication number):2001334151
Application date: May. 30, 2000
Publication date: Dec. 04, 2001
Summary:
【要約】【課題】 天然ガス等の低級炭化水素を用いてベンゼン、ナフタレン等の芳香族化合物と水素ガスを製造するための芳香族化触媒及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Re又はその化合物の一種以上を必須とし、所望により、Zn、Ga、Co、Fe又はそれらの化合物の1種以上、Cr、W、Mo又はそれらの化合物の1種以上、希土類金属またはその化合物の1種以上を含む触媒材料と、メタロシリケートからなる触媒を用いる。該触媒の存在下、好ましくは一酸化炭素及び/又は二酸化炭素の共存下、低級炭化水素を原料に芳香族化合物及び水素を製造する。【効果】 ベンゼン、トルエン、キシレン及びナフタレン等の芳香族炭化水素と水素を効率的に製造できる。又、一酸化炭素又は二酸化炭素の共存下に反応を行うと、反応転化率が向上し、さらに経時的な生成速度の低下を抑制して長時間安定した性能が得られる。
Claim (excerpt):
レニウムまたはその化合物で構成される群から選択される一種以上の触媒材料と、該触媒材料を担持するメタロシリケートとを有することを特徴とする低級炭化水素の芳香族化合物化触媒
IPC (10):
B01J 29/04 ,  B01J 29/48 ,  B01J 29/64 ,  B01J 29/69 ,  B01J 29/78 ,  B01J 29/85 ,  C07C 2/84 ,  C07C 15/04 ,  C07C 15/24 ,  C07B 61/00 300
FI (10):
B01J 29/04 Z ,  B01J 29/48 Z ,  B01J 29/64 Z ,  B01J 29/69 Z ,  B01J 29/78 Z ,  B01J 29/85 Z ,  C07C 2/84 ,  C07C 15/04 ,  C07C 15/24 ,  C07B 61/00 300
F-Term (51):
4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA07B ,  4G069BA15A ,  4G069BC17A ,  4G069BC17B ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069BC38A ,  4G069BC58A ,  4G069BC59A ,  4G069BC60A ,  4G069BC64A ,  4G069BC64B ,  4G069BC66A ,  4G069BC66B ,  4G069BC67A ,  4G069BC67B ,  4G069CB66 ,  4G069DA06 ,  4G069EA01Y ,  4G069EC03Y ,  4G069EC04Y ,  4G069EC11Y ,  4G069EC12Y ,  4G069FA02 ,  4G069FB14 ,  4G069ZA08B ,  4G069ZA12B ,  4G069ZA13B ,  4G069ZA32B ,  4G069ZA41B ,  4G069ZD06 ,  4G069ZE09 ,  4H006AA02 ,  4H006AC28 ,  4H006BA07 ,  4H006BA08 ,  4H006BA09 ,  4H006BA14 ,  4H006BA16 ,  4H006BA19 ,  4H006BA20 ,  4H006BA30 ,  4H006BA32 ,  4H006BA55 ,  4H006BA56 ,  4H006BA71 ,  4H006BC34 ,  4H039CA41 ,  4H039CH10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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