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J-GLOBAL ID：200903044948298573
強誘電体薄膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995223240
Publication number (International publication number)：1997067193
Application date： Aug. 31, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 高価なMgO単結晶基板を用いずに、基板上に001配向のペロブスカイト強誘電体薄膜を製造する。【解決手段】 膜厚が0.05〜0.3μmで、組成がA/Bモル比にて0.8〜1.2であり、アモルファス構造および/またはパイロクロア型構造を有する薄膜は、550〜800°Cの温度で加熱処理してペロブスカイト構造に変化させると、キュリー温度以上にとる立方対称にて100配向をとる傾向をもつ。このような配向性は基板との格子整合によって形成されるものではないため、任意の基板上に実現できる。この薄膜をバッファー層として利用して、その上にエピタキシャル的にペロブスカイト型の強誘電体薄膜を成長させれば、これもキュリー温度以上にとる立方対称にて100配向をとる。
Claim (excerpt)：
第1工程として線熱膨張係数が1.0×10-5〜2.1×10-5(°C-1)の基板上にペロブスカイト薄膜をバッファー層として形成するにあたり、0.05〜0.3μmの膜厚を有して、膜成分がペロブスカイトの一般式ABO3 に対してA/Bモル比で0.8〜1.2であり、結晶構造がアモルファス構造および/またはパイロクロア型構造である酸化物薄膜を基板上に形成した後、該酸化物薄膜を550〜800°Cに加熱してペロブスカイト型構造に変化させることによって、キュリー温度以上において100配向のペロブスカイト薄膜のバッファー層を該基板上に形成し、第2工程として、該基板上に、該ペロブスカイト薄膜に対してエピタキシャル的にペロブスカイト型構造の室温において正方晶を有する強誘電体薄膜を結晶成長させることを特徴とした、室温において001配向を有するペロブスカイト型構造を有する強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (10)：
C30B 25/18
, C01G 1/00
, C01G 23/00
, C01G 25/00
, C23C 14/08
, C23C 16/40
, C23C 16/44
, C30B 23/00
, C30B 29/22
, H01B 3/00
C30B 25/18
, C01G 1/00 B
, C01G 23/00 C
, C01G 25/00
, C23C 14/08 N
, C23C 16/40
, C23C 16/44
, C30B 23/00
, C30B 29/22 Z
, H01B 3/00 F
