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J-GLOBAL ID:200903044950258210
抵抗変化素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (3):
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005007379
Publication number (International publication number):2008060091
Application date: Jan. 14, 2005
Publication date: Mar. 13, 2008
Summary:
【課題】 200°Cでも安定した動作を示す抵抗変化素子を提供すること。【解決手段】 プラセオジウム(Pr)、カルシウム(Ca)、マンガン(Mn)を含む酸化物よりなる抵抗変化層(13)に電気的に接続された上部電極(14)と下部電極(12)とを備え、前記上部電極(14)と前記下部電極(13)との間に電気パルスを印加して前記抵抗変化層(13)の抵抗を変化させる抵抗変化素子であって、 前記抵抗変化層(13)と前記上部電極(14)および前記下部電極(12)の少なくとも一方との間に酸素欠損層(25)を有する抵抗変化素子。【選択図】図2
Claim (excerpt):
プラセオジウム(Pr)、カルシウム(Ca)、マンガン(Mn)を含む酸化物よりなる抵抗変化層に電気的に接続された上部電極と下部電極とを備え、前記上部電極と前記下部電極との間に電気パルスを印加して前記抵抗変化層の抵抗を変化させる抵抗変化素子であって、
前記抵抗変化層と前記上部電極および前記下部電極の少なくとも一方との間に酸素欠損層を有する抵抗変化素子。
IPC (3):
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/02
FI (3):
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/02
F-Term (9):
5F083FZ10
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA42
, 5F083JA45
, 5F083JA60
, 5F083PR22
, 5F083PR33
Patent cited by the Patent:
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