Pat

J-GLOBAL ID：200903044951964916

電界放出素子用炭素薄膜

Inventor： ジダン リー トルト ,  ツヴィ ヤニヴ
Applicant, Patent owner： 野村貿易株式会社 ,  エスアイ ダイヤモンド テクノロジー, インコーポレイテッド
Agent (1)： 野村貿易株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998262219
Publication number (International publication number)：1999167859
Application date： Aug. 13, 1998
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】電界放出陰極に使用される炭素膜は,基板上に堆積された炭素薄膜である.波長244nm,出力2-7mWの励起光,1100cm-1から1850cm-1の波数内で,この炭素膜は1578cm-1から1620cm-1の範囲に,半値幅25cm-1から165cm-1の特徴的な紫外光ラマンバンドを示す.この炭素膜は,化学気相成長,物理気相成長,電気分解,印刷焼き付けや塗装によって得られ,連続のものであっても不連続のものであってもかまわない.

Claim (excerpt)：

紫外光ラマン分光において1578〜1620cm-1の範囲にバンドを持ち,25〜165cm-1の半値幅を持つ,基板上に堆積された炭素膜から成る電界放出素子

IPC (6)：

H01J 1/30 ,  B01J 19/00 ,  C01B 31/02 101 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  H01L 29/78

FI (7)：

H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 A ,  B01J 19/00 K ,  C01B 31/02 101 Z ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01L 29/78