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J-GLOBAL ID:200903044951976370
光源装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西村 教光 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001045234
Publication number (International publication number):2002246652
Application date: Feb. 21, 2001
Publication date: Aug. 30, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体発光素子からの出射光を有効に利用して色斑の無いクリアで輝度の高い発光を得る。【解決手段】 光源装置1は、透明性を有する半導体発光素子4を有する。リードフレーム21のパターン2a上には、波長変換材料を混入した透明樹脂3が半導体発光素子4の面積よりも大きな面積で形成される。透明樹脂3の上には、半導体発光素子4が接着固定される。半導体発光素子4の裏面4aから発する光は、透明樹脂3中の波長変換材料で波長変換され、この波長変換された光がリードフレーム21のパターン2aで反射される。この反射した光は、半導体発光素子4の表面から直接発する光と混合され、半導体発光素子4の表面4bから混合光が放射される。
Claim (excerpt):
透明性を有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子の面積よりも大きな面積で基材の反射面上に形成され、波長変換材料が混入された透明樹脂とを備え、前記透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されており、前記半導体発光素子の裏面から発する光を前記波長変換材料で波長変換するとともに、該波長変換された光を前記反射面で反射し、この反射した光と、前記半導体発光素子の表面から直接発する光とを混合して前記半導体発光素子の表面から放射することを特徴とする光源装置。
IPC (3):
H01L 33/00
, F21V 5/04
, F21Y101:02
FI (3):
H01L 33/00 N
, F21V 5/04 Z
, F21Y101:02
F-Term (7):
5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041DA17
, 5F041DA26
, 5F041DA34
, 5F041DA46
, 5F041EE25
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-176350
Applicant:株式会社シチズン電子
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発光ダイオード装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-222787
Applicant:サンケン電気株式会社
-
半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-248055
Applicant:松下電子工業株式会社
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