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J-GLOBAL ID：200903044961526151
半導体露光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993329324
Publication number (International publication number)：1995142384
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 加工寸法の微細化を満足させると共に、露光光源の光量の利用効率を高め、露光量制御の容易化及び装置の小型化を図った半導体露光装置を提供する。【構成】 紫外レーザ光源出射部10でレーザ媒体の基本波の第4高調波を連続発振により出射させ、その出射光の積算光量をモニタする積算光量検出部12によるモニタ結果に応じてシャッタ11で出射光の光量制御を行い、コヒーレンス除去装置13A,フライアレイレンズ13Bでそれぞれ可干渉性の低下、光の強度分布を均一化させた光を露光光源としてコンデンサレンズ13を介してレティクル14に照射し、この露光光源を縮小投影レンズ15を介して露光照射することにより、ウエーハ16上に塗布されたレジストにレティクル14のパターンを転写する。
Claim (excerpt)：
露光光源からの照射光でレティクルの半導体の回路パターンを投影レンズ系を介してウエーハに転写する半導体露光装置において、レーザ励起により発光されるレーザ光を第1の共振器内部で波長変換し、上記第1の共振器からの出射光を外部共振形の第2の共振器で波長変換した光を出射する光源手段と、該光源手段の光量を調整する光量制御手段と、該光量制御手段を介して出射される光量を検出する光量検出手段と、上記光源手段からの出射光の可干渉性を低下させる可干渉性抑制手段と、該可干渉性抑制手段からの光の強度分布を均一化する均一化手段とを有することを特徴とする半導体露光装置。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
