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J-GLOBAL ID：200903044962465253

ダイヤモンドへの整流電極の形成方法

Inventor： 宮田 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995172446
Publication number (International publication number)：1997022880
Application date： Jul. 07, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】 高温環境であっても安定して作動する半導体ダイヤモンドからなる電子デバイスのダイヤモンドへの整流電極の形成方法を提供する。【構成】 先ず、酸素終端したダイヤモンド上に酸素をゲッタリングする金属を蒸着して電極を形成する。その後、300°C以上の温度で1分間以上保持する熱処理を行う。前記電極用金属は電気陰性度が1.8以下であり、例えばMg、Hf又はZrを使用することができる。また、前記ダイヤモンドはホウ素をドーピングした半導体ダイヤモンドであるが、この半導体ダイヤモンドとアンドープダイヤモンドを積層したものとすることができる。

Claim (excerpt)：

酸素終端したダイヤモンド上に酸素をゲッタリングする金属を蒸着した後、300°C以上の温度で1分間以上熱処理することを特徴とするダイヤモンドへの整流電極の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/322

FI (4)：

H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 R ,  C30B 29/04 V ,  H01L 21/322 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061884   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• オーミック電極及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-223528   Applicant：住友電気工業株式会社