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J-GLOBAL ID：200903044971006130

発光素子及びその作製方法、並びに光集積素子

Inventor： 河合 弘治 ,  冨岡 聡 ,  ヤン・ルベレゴ
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994133591
Publication number (International publication number)：1995321417
Application date： May. 24, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】不所望の結晶面が化合物半導体結晶層に形成されても、素子特性に悪影響を与えることがない発光素子を提供する。【構成】化合物半導体基板10の{111}B面上に形成された化合物半導体結晶層20から成る発光素子であって、化合物半導体結晶層20は、発光領域22及び突起領域24,26から成り、発光領域22は、化合物半導体基板の<2,-1,-1>方向と直角の方向に{0,-1,-1}面22A及び{0,1,1}面22Cを有し、一方、化合物半導体基板の<0,1,-1>方向と直角の方向に{0,1,-1}面22B及び{0,-1,1}面22Dを有し、これらの{0,1,-1}面22B及び{0,-1,1}面22Dは光射出面に相当し、突起領域24,26は、光射出面22B,22Dの近傍の発光領域22から、化合物半導体基板の<-2,1,1>方向に向かって延びている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板の{111}B面上に形成された化合物半導体結晶層から成る発光素子であって、該化合物半導体結晶層は、発光領域及び突起領域から成り、該発光領域は、化合物半導体基板の<2,-1,-1>方向と直角の方向に{0,-1,-1}面及び{0,1,1}面を有し、一方、化合物半導体基板の<0,1,-1>方向と直角の方向に{0,1,-1}面及び{0,-1,1}面を有し、これらの{0,1,-1}面及び{0,-1,1}面は光射出面に相当し、該突起領域は、該光射出面の近傍の発光領域から、化合物半導体基板の<-2,1,1>方向に向かって延びていることを特徴とする発光素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00