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J-GLOBAL ID：200903044972890661

薄膜エレクトロルミネッセンス素子

Inventor： 三浦 博
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994333882
Publication number (International publication number)：1996171990
Application date： Dec. 16, 1994
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：

【要約】【構成】 支持基板上101に、下部電極と発光層の結晶性の制御層を兼ねる薄膜を形成し、この薄膜102と接して下部絶縁層103を形成し、下部絶縁層103と上部絶縁層105とで挾んだ構成で発光層104を形成し、上部絶縁層105上に上部電極106を形成してなる薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、下部電極と発光層の結晶性の制御を兼ねる層102は、基板と平行方向の結晶配向面が少なくても二種類存在する溶融再結晶化法で形成したシリコン薄膜である薄膜エレクトロルミネッセンス素子。【効果】 本発明に係るEL素子は、デットレイヤーが存在しないので、従来の多結晶材料で構成されるEL素子と比較して、駆動電圧の低電圧化が可能となり、また発光輝度の持続性に優れる。また、このEL素子は、支持基板にガラス基板が使用できることから、大面積化にも有利である。

Claim (excerpt)：

支持基板上に、下部電極と発光層の結晶性の制御層を兼ねる薄膜層を形成し、この薄膜層と接して下部絶縁層を形成し、下部絶縁層と上部絶縁層とで挾んだ構成で発光層を形成し、上部絶縁層上に上部電極を形成してなる薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、下部電極と発光層の結晶性の制御を兼ねる薄膜層は、基板と平行方向の結晶配向面が少なくても二種類存在する溶融再結晶化法で形成したシリコン薄膜であることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。