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J-GLOBAL ID：200903044981710145
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033325
Publication number (International publication number)：1994252170
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 活性層のp-Si結晶などに対してダメージを与えることを避けつつ不純物の高濃度ドープ領域を形成するとともにその活性化を簡易に行なうことができるようにして、良好で安定した動作特性を実現したTFTを簡易に製造する。【構成】 本発明によれば、TFTの製作にあたり、オーミックコンタクト層19の形成工程と、活性層5の結晶粒界面のダングリングボンドのターミネート工程とを兼ねて一度にレーザ照射またはCVD工程で行なうことができ、特にレーザ照射の場合は前記 2工程とソース領域やドレイン領域の活性化とを一度に行なえるので生産性を大幅に向上させることができ、しかも製作されたTFTは水素パシベーションが施されているのでリーク電流が抑えられ、また活性層5の活性化が施されているので移動度等の動作特性も良好とすることができる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に素子分離された多結晶半導体の活性層を形成する工程と、前記活性層の少なくともチャネル領域上を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記活性層のうちのチャネル領域に隣接する領域に不純物をドープしてドレイン領域およびソース領域のうち少なくともドレイン領域を形成する第1のドープ工程と、前記不純物の元素を含む水素化合物ガス雰囲気中で前記活性層の前記絶縁膜から露出した前記ドレイン領域およびソース領域の表面部分にレーザビームを照射して不純物を追加ドープし、前記表面部分にオーミックコンタクト層を形成するレーザドープ工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/324
, H01L 29/40
