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J-GLOBAL ID：200903044983191609

真空処理装置のクリーニング方法

Inventor： 小川 博
Applicant, Patent owner： 山形日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124890
Publication number (International publication number)：1996319586
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】ドライエッチング処理装置のメンテナンス時間を削減し半導体装置の不良率を低下させる。【構成】酸素を含むガスとフッ素を含むガスと塩素を含むガスの混合ガスを希ガスで希釈して処理室内に導入しそのプラズマを発生させて、処理室内に付着している残留反応生成物Alx Cy Clz (アルミニウム炭素塩化物)を除去する。

Claim (excerpt)：

処理室内で塩素系ガスを用いて半導体基板上に形成されたアルミニウムを含む膜のドライエッチング等の処理を行った後、酸素を含むガスとフッ素を含むガス及び塩素を含むガスとの混合ガスを前記処理室内に導入し、その処理室内に混合ガスプラズマを発生させて前記処理室内の残留反応生成物を除去することを特徴とする真空処理装置のクリーニング方法。

IPC (3)：

C23F 4/00 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

C23F 4/00 E ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-138472