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J-GLOBAL ID：200903045024847704

荷電粒子ビーム描画方法

Inventor： 横浦 俊男
Applicant, Patent owner： 日本電子株式会社
Agent (1)： 井島 藤治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992311698
Publication number (International publication number)：1994163383
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 一括描画方式においてパターンのつなぎの精度を向上させた荷電粒子ビーム描画方法を実現する。【構成】 特定パターンを描画する場合、まず、成形マスク6上の単位セルパターンP1が選択され、このセルパターンP1を通過した電子ビームが所定位置に投射される。この時、ショットタイムは通常の描画動作の時のタイムに比べて1/2にされている。次に、成形マスク6の単位セルパターンP2が選択され、セルパターンP2を通過した電子ビームが単位セルパターンP1に一部重ね合わされて所定位置に投射される。このように、単位セルパターンP1とP2を交互に選択し、夫々のパターンの一部が重なるようにして描画を行うことにより、単位パターンのつなぎの部分での隙間やパターン幅の拡大などが生じることはなくなり、精度の高いパターン描画を行うことができる。

Claim (excerpt)：

異なった形状のセルパターン開口を複数有した成形マスクの特定の開口部分に荷電粒子ビームを偏向して照射し、該開口を通った荷電粒子ビームを被描画材料に投射するようにして所望パターンの描画を行う荷電粒子ビーム描画方法において、セルパターンをつなぎ合わせて所望パターンの描画を行うに際し、成形マスクに夫々が描画すべき特定パターンの一部であって、部分的に重なり合う複数のセルパターンの開口を設け、該複数のセルパターンの開口を通った電子ビームを部分的に重ね合わせながら該特定パターンの描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法。