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J-GLOBAL ID：200903045036889658

半導体装置の製造方法

Inventor：
辰巳 哲也

About 辰巳 哲也


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997006272
Publication number (International publication number)：1998209275
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 下地膜の表面に剥がれの発生を防止しつつ低誘電率膜を形成できるようにし、電気的信頼性の確保および配線間の容量を低減を図る。【解決手段】 Si-O結合を有する下地膜であるSiO2 膜3の表面にSiO2 膜3よりも比誘電率の低い有機系の低誘電率膜5を形成するに先立ち、SiO2 膜3の表層に変質層4を形成する。この変質層4の形成は、例えばSiO2 膜3の表層におけるSi-O結合を分断可能な波長を有する光、またはイオンをSiO2 膜3の表面に照射することによって行う。また低誘電率膜5を形成するに先立ち、SiO2 膜3の表面にプラズマから発生したCF系のポリマーからなる密着膜を形成してもよい。
Claim (excerpt)：
Si-O結合を有する下地膜の表面に該下地膜よりも比誘電率の低い有機系の低誘電率膜を形成するに先立ち、前記下地膜の表層に変質層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (3)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/316 M
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-019689   Applicant：ソニー株式会社
  • 処理方法及びその装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-307132   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 絶縁膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-095159   Applicant：ソニー株式会社
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