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J-GLOBAL ID：200903045038117652

プラズマ溶射法及びプラズマ溶射装置

Inventor： 草 野 敏 邦 ,  伊 東 厚 直
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994045306
Publication number (International publication number)：1994325895
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プラズマジェットを絞ることで、基材の皮膜を形成する必要のない部分に溶射粒子が付着するのを防ぐと共に溶射時間を長くせずに皮膜の付着量を確保すること。【構成】 陰極2と陽極ノズル1との間にアークを発生し溶射粒子3と作動ガス4よりなるプラズマジェットを基材7の表面に向かって噴射して皮膜10を形成するプラズマ溶射法において、プラズマジェットの周りに電磁コイル11を配置し、この電磁コイルに電流を流して磁界を発生させるプラズマ溶射法である。

Claim (excerpt)：

陽極を有する噴射ノズルと陰極との間に作動ガスを供給し、前記陽極と前記陰極との間に発生させたアークにより前記作動ガスを超高温のプラズマにし、前記プラズマに溶射粒子を供給してプラズマジェットにより前記溶射粒子を前記噴射ノズルの噴射口から基材の表面に向かって噴射して前記基材の表面に皮膜を形成するプラズマ溶射法において、前記噴射ノズル,プラズマジェットの内の少なくとも一方の周りに電磁コイルを配置し、前記電磁コイルに電流を流してプラズマジェットの噴射方向へ磁界を発生させたことを特徴とするプラズマ溶射法。

IPC (2)：

H05H 1/40 ,  C23C 4/12