スルホンアミド構造を有する重合性エステル化合物、その重合体、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004168601
Publication number (International publication number)：2005023304
Application date： Jun. 07, 2004
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

【解決手段】下記一般式(1)又は(1’)で示される重合性エステル化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、R2は水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜10の鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。Xは脂環構造を有する2価の飽和炭化水素基を表す。) 【効果】 300nm以下の波長、特にArFエキシマレーザー光を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、密着性、透明性及びエッチング耐性の全てに優れた、レジスト材料用の重合体の原料となるモノマーとして有効である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)又は(1’)で示される重合性エステル化合物。

IPC (6)：

C08F20/38 , C07C311/07 , C07C311/09 , C08F32/00 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (6)：

C08F20/38 , C07C311/07 , C07C311/09 , C08F32/00 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (48)：

2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AB46 , 4J100AJ02Q , 4J100AL03Q , 4J100AL03R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL26P , 4J100AL26Q , 4J100AL26R , 4J100AR11P , 4J100BA02Q , 4J100BA02R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA12Q , 4J100BA12R , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA28P , 4J100BA40R , 4J100BA58P , 4J100BB18P , 4J100BC02P , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC07P , 4J100BC08P , 4J100BC12P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平4-39665号公報
デバイス製造のためのパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-049956 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

Cited by examiner (3)

特表平4-502521
放射線感光材料及びパタ-ンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-065290 Applicant：富士通株式会社
高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-029321 Applicant：信越化学工業株式会社

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