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J-GLOBAL ID：200903045073688581

半導体基板とその製造方法

Inventor： 森下 隆 ,  松井 正宏
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995324275
Publication number (International publication number)：1997162088
Application date： Dec. 13, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 均一、大面積で従来のシリコンLSI製造プロセスとの整合性が良く、なおかつスナップバック耐圧の高いSOI構造の半導体基板を供給する。【解決手段】 シリコン基板上にα-アルミナ、γ-アルミナ、マグネシウムアルマニウム オキサイド、酸化セリウム、フッ化カルシウムの少なくともいずれかの中間層を堆積させた後、その上にシリコン層をエピタキシャル成長させるか、又は、他のシリコン基板を貼り合わせして、その後薄く研磨し、SOI構造の半導体基板を得る。

Claim (excerpt)：

基板としての第一のシリコン基板と、該第一のシリコン基板上に堆積されたα-Al2O3、γ-Al2O3、MgO:Al2O3、CeO2 、CaF2 の少なくともいずれかの中間層と、該中間層上にエピタキシャル成長された第二のシリコン層とを有することを特徴とする半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 D ,  H01L 27/12 B