レジスト用樹脂、化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999198163
Publication number (International publication number)：2001022074
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】高いドライエッチング耐性を有するDUVエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーに好適なレジスト用樹脂および化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】アクリロニトリル、酢酸ビニルおよびN-メチロールアクリルアミドから選ばれる少なくとも1種を単量体単位として含むことを特徴とする酸によりアルカリ水溶液に可溶となるレジスト用樹脂。

Claim (excerpt)：

アクリロニトリル、酢酸ビニルおよびN-メチロールアクリルアミドから選ばれる少なくとも1種を単量体単位として含むことを特徴とする酸によりアルカリ水溶液に可溶となるレジスト用樹脂。

IPC (5)：

G03F 7/039 601 , C08F220/26 , C08F220/44 , C08F220/56 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 , C08F220/26 , C08F220/44 , C08F220/56 , H01L 21/30 502 R

F-Term (37)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AB20 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025CB06 , 2H025CB07 , 2H025CB15 , 2H025CB41 , 2H025CB52 , 2H025FA29 , 2H025FA30 , 2H025FA41 , 4J100AG04R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AM02R , 4J100AM21R , 4J100BA03R , 4J100BA11Q , 4J100BC04P , 4J100BC07P , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100BC28P , 4J100BC52Q , 4J100CA05 , 4J100DA39 , 4J100FA00 , 4J100FA02 , 4J100JA39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ポジ型感光性組成物を用いる塗設物及びそれを用いるパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-018916 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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