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J-GLOBAL ID：200903045077151191

磁気抵抗効果膜

Inventor： 及川 悟 ,  前田 篤志 ,  山野 耕治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997060603
Publication number (International publication number)：1998256622
Application date： Mar. 14, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 MR比が高くかつ飽和磁界の低いスピンバルブ型磁気抵抗効果膜を得る。【解決手段】 第1の強磁性層3、非磁性導電層4、第2の強磁性層5、及び反強磁性層6を積層した構造を有する磁気抵抗効果膜において、第1の強磁性層3及び第2の強磁性層5のうちの少なくともいずれか一方の強磁性層がCoNiFe系合金から形成され、かつその磁歪λS が-3×10-6≦λS ≦3×10-6で表される範囲であることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

第1の強磁性層、非磁性導電層、第2の強磁性層、及び反強磁性層を積層した構造を有する磁気抵抗効果膜において、前記第1の強磁性層及び前記第2の強磁性層のうちの少なくともいずれか一方の強磁性層がCoNiFe系合金から形成され、かつその磁歪λS が-3×10-6≦λS ≦3×10-6で表される範囲であること特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16