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J-GLOBAL ID：200903045082385516

半導体装置の製造方法

Inventor：
関口 満

About 関口 満


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

About 株式会社半導体先端テクノロジーズ


Agent (1)： 高田 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001307339
Publication number (International publication number)：2003115534
Application date： Oct. 03, 2001
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 エアギャップを備えた配線構造の機械的強度を高める。【解決手段】 半導体基板上にシリコン窒化膜2を形成する工程と、シリコン窒化膜2上にシリコン酸化膜3を形成する工程と、シリコン酸化膜3に第1のシリコン窒化膜2に到達する溝4を形成する工程と、溝4内にカーボン膜5を形成する工程と、少なくともカーボン膜5の両側と隣接する領域内に配線溝6を形成する工程と、配線溝6内に導電膜8を形成する工程と、導電膜8、カーボン膜5及びシリコン酸化膜3上にシリコン窒化膜9を形成する工程と、カーボン膜5を除去して、エアギャップ10を形成する工程とを有する。シリコン酸化膜3を部分的に残してエアギャップ10を形成するため、配線構造の機械的強度を高めることができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜を選択的に除去して、前記第1の絶縁膜に到達する第1の開口を形成する工程と、前記第1の開口内に犠牲膜を形成する工程と、少なくとも前記犠牲膜の両側と隣接する領域内で前記第2の絶縁膜を選択的に除去して、前記第1の絶縁膜に到達する第2の開口を形成する工程と、前記第2の開口内に導電膜を形成する工程と、前記導電膜、前記犠牲膜及び前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成する工程と、前記犠牲膜を除去して、少なくとも前記犠牲膜の両側に隣接していた前記導電膜の間に空洞領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
F-Term (16)：
5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR30 ,  5F033SS08 ,  5F033XX25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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