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J-GLOBAL ID：200903045091181109

裏面にキャビテーションゲッタリングサイトを有する半導体ウエーハと、当該半導体ウエーハの製造方法と、当該半導体ウエーハによるゲッタリング方法。

Inventor： 祖山 均 ,  熊野 弘之
Applicant, Patent owner： 祖山 均
Agent (1)： 大津 洋夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999053465
Publication number (International publication number)：2000252287
Application date： Mar. 02, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【目的】本発明は、このエクストリンシックゲッタリング(extrinsic gettering)を、キャビテーション気泡の崩壊衝撃力を利用して行うという新しい手法で実現しようとするものである。【構成】液中に液体噴流を噴出して同噴流まわりにキャビテーションを発生せしめるか、或いは超音波を用いてキャビテーションを発生させるなどの手段によりキャビテーション気泡を発生させ、表面側を素子形成領域となす半導体ウエーハの裏面にてキャビテーション気泡を崩壊させ、その気泡の崩壊衝撃力により、同半導体ウエーハの裏面に損傷や壊食を起こすことなく転位や加工ひずみや残留応力改質などの加工歪層および/または酸化積層欠陥を付与し、高温熱処理と冷却処理を経ることにより半導体内の不純物をゲッタリングし得るゲツタリングサイトを形成したことを特徴とする裏面にキャビテーションゲッタリングサイトを有する半導体ウエーハと、その製造方法と、当該半導体ウエーハを用いたゲッタリング法である

Claim (excerpt)：

表面側を素子形成領域となす半導体ウエーハの裏面にキャビテーションによる加工歪層および/または酸化積層欠陥(Oxidation-induced stacking faults)からなるゲッタリングサイトを付与して、デバイスプロセス中に前記ゲッタリングサイトに半導体内の不純物をゲッタリングし得るようにしたことを特徴とする裏面にキャビテーションゲッタリングサイトを有する半導体ウエーハ。