SOIウエーハおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001108643
Publication number (International publication number)：2002305292
Application date： Apr. 06, 2001
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】イオン注入剥離法によって作製されるSOIウエーハにおいて、剥離時に生ずるSOI島の発生を抑制するとともに、SOIウエーハ表面に存在するLPD欠陥密度を低減したSOIウエーハとその製造方法を提供し、デバイス不良を低減する。【解決手段】イオン注入剥離法によって作製されたSOIウエーハであって、SOIウエーハエッジ部に発生するベースウエーハ表面が露出したテラス部のSOI島領域幅が1mmより狭いことおよびLPD検査で検出されるSOI層表面に存在するサイズが0.19μm以上のピット状欠陥の密度が1counts/cm2 以下であるSOIウエーハならびにその製造方法。

Claim (excerpt)：

イオン注入剥離法によって作製されたSOIウエーハであって、SOIウエーハエッジ部に発生するベースウエーハ表面が露出したテラス部のSOI島領域幅が1mmより狭いことを特徴とするSOIウエーハ。

IPC (4)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/265

FI (4)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/20 , H01L 21/265 Q

F-Term (1)：

5F052KB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-114176 Applicant：信越半導体株式会社, エスオーアイテックエス・エー
貼り合わせ基材とその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-133911 Applicant：キヤノン株式会社
SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-091061 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社

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