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J-GLOBAL ID：200903045113705379
メタル成膜工程の前処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995013377
Publication number (International publication number)：1996203908
Application date： Jan. 31, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 レジスト膜の改質を迅速に適度に行なえる方法を提供する。【構成】 被処理基板2のレジスト膜12にBLM膜20を形成する前の、工程において、プラズマ生成電源15と基板バイアス電源16を独立して備えたプラズマ処理装置を用いて、被処理基板2のレジスト膜12にプラズマ7を照射して、接続孔11の端面をオーバーハング状とし、かつその表面を改質させるメタル成膜工程の前処理方法。【効果】 プラズマ生成電力と基板バイアス電圧を適度に設定でき、プラズマ照射処理が容易となり、レジスト膜表面の改質が適度に迅速に行なえ、かつ接続孔端面の形状制御が容易にできる。
Claim (excerpt)：
半導体基体上に順次電極パッド、表面保護膜、フォトレジスト膜が積層され、該電極パッドが露呈した接続孔を備える被処理基板に対して、プラズマ生成電力と基板バイアス電圧を独立して供給する高周波電源を備えるプラズマ処理装置を用いてプラズマ照射することを特徴とするメタル成膜工程の前処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/321
, H01L 21/28
, H01L 21/285
, H01L 21/3065
H01L 21/92 604 M
, H01L 21/302 B
, H01L 21/302 N
, H01L 21/92 604 R
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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