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J-GLOBAL ID：200903045126645367

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 中村 哲浩
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999128859
Publication number (International publication number)：2000323701
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来、半導体装置の高機能化に伴いシリコン基板上に形成する回路素子の高集積化が進められてきたが、シリコン基板の一方の面にしか回路素子を形成していなかった。このことは、シリコン基板上に形成する回路素子を設計する上で制約を受けてしまうという課題を有していた。【解決手段】 本発明では、シリコン基板の両面に回路素子を有し、回路素子がスルーホール内部に形成した導電膜を介して電気的に導通している半導体装置を得ることができ、この構造とすることで従来の半導体装置の大きさで約2倍の回路素子を形成することができ、高集積化が可能となる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の上下両面に回路素子を有し、上面の回路素子と下面の回路素子とを導通させるためのスルーホールを有し、スルーホール内部に導電膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/41 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/00 301

FI (4)：

H01L 29/44 B ,  H01L 27/00 301 W ,  H01L 21/88 A ,  H01L 25/08 Z

F-Term (27)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD06 ,  4M104DD34 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033XX00