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J-GLOBAL ID：200903045132966388
共振装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
西川 惠清
, 森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008245282
Publication number (International publication number)：2009100465
Application date： Sep. 25, 2008
Publication date： May. 07, 2009
Summary：
【課題】圧電層が均質な場合に比べて圧電層の厚みを薄くすることなく電気機械結合係数を高めることが可能な共振装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】共振装置は、支持基板1と、支持基板1の一表面側に形成された下部電極31と、下部電極31における支持基板1側とは反対側に形成された圧電層32と、圧電層32における下部電極31側とは反対側に形成された上部電極33とを備える。圧電層32は、厚み方向の中央領域32aがモルフォトロピック相境界近傍の組成比の圧電材料により形成され、中央領域32aと下部電極31との間の下部領域32b、中央領域32aと上部電極33との間の上部領域32cそれぞれが、中央領域32aよりも音響インピーダンスが大きな圧電材料により形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
支持基板と、支持基板の一表面側に形成された下部電極と、下部電極における支持基板側とは反対側に形成された圧電層と、圧電層における下部電極側とは反対側に形成された上部電極とを備えた共振装置であって、圧電層は、厚み方向の中央領域がモルフォトロピック相境界近傍の組成比の圧電材料により形成され、中央領域と下部電極との間の下部領域、中央領域と上部電極との間の上部領域それぞれが、中央領域よりも音響インピーダンスが大きな圧電材料により形成されてなることを特徴とする共振装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (6)：
5J108AA07
, 5J108BB04
, 5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108EE13
, 5J108MM11
