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J-GLOBAL ID：200903045135816379

半導体装置

Inventor： 佐藤 雅克
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998010756
Publication number (International publication number)：1999214676
Application date： Jan. 22, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板上に設けられた電極とキャリアの移動経路を形成するチャネル層との間に形成されるヘテロバリアを低くしてソース抵抗の積層方向の抵抗成分が低減された半導体装置を得る。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板10上にアンドープGaAsバッファ層12と、アンドープInGaAsチャネル供給層14と、アンドープAlGaAsスペーサ層16と、n型AlGaAs第1キャリア供給層18a、Siプレーナードープ層28と、n型AlGaAs第2キャリア供給層18b、n型GaAsキャップ層20順に積層して形成した後に、底部に第1キャリア供給層18aの一部が露出する深さのリセス30を形成し、このリセス30内にゲート電極26を設けると共に、リセス30の左右のキャップ層20上にオーミック接触で接続するソース電極22とドレイン電極24とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたヘテロ接合を含む多数の層の最上層とオーミック接触で接続するオーミック電極と、該オーミック電極よりも下層に設けられキャリアの移動経路を形成するチャネル層と、上面側または下面側の少なくとも一方にヘテロ接合を有して前記オーミック電極と前記チャネル層との間に設けられ、不純物がドーピングされたキャリア供給層と、を備え、前記キャリア供給層側のヘテロ界面近傍に、該キャリア供給層と同じ多数キャリアを形成させる不純物をキャリア供給層よりも高濃度にドーピングした不純物ドープ層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-100247
  
• 特開平3-027537
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-083296   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-100247
  
• 特開平3-027537