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J-GLOBAL ID：200903045147683420

希土類磁石の製造方法

Inventor： 片岡 光宗 ,  長谷部 章雄
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996280389
Publication number (International publication number)：1998106875
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 磁気特性に優れた希土類磁石の製造方法を提供すること。【解決手段】 R-T-B系で表される合金、焼結体を解砕して得られた磁性粉末を磁場プレスの前段階までに水素吸蔵処理をして、粉末の磁気特性を低下させ、プレス体を成形し、脱水素処理を施し、その後、焼結する希土類磁石の製造方法。

Claim (excerpt)：

希土類焼結磁石のうち、一般式R<SB>x</SB>T<SB>100-x-y</SB>B<SB>y</SB>[ただし、式中、RはNdを必須成分とし、Yを含む希土類元素から選択された少なくとも一種、TはFeを主成分とする遷移金属およびAl、Ga、Siの内から選択された少なくとも1種を表し、Rの組成値Xは8〜20、Bの組成値yは0≦y<10.0(いずれもat%である)]で表される合金および焼結体を解砕して得られた異方性磁性粉により形成された希土類磁石の製造方法であって、磁場プレスの前段階までに前記磁性粉を液体窒素温度から200°Cの温度範囲で水素処理を施し、磁場中でプレスし、プレス後、真空中で脱水素処理を施し、その後、焼結することを特徴とする希土類磁石の製造方法。

IPC (5)：

H01F 41/02 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/00 ,  C22C 38/00 303 ,  H01F 1/053

FI (5)：

H01F 41/02 G ,  B22F 1/00 B ,  B22F 3/00 F ,  C22C 38/00 303 D ,  H01F 1/04 H