Pat

J-GLOBAL ID：200903045159139718

磁気メモリセル

Inventor： ジェームズ・エー・ブラッグ ,  マノジ・ケー・ブハッタチャーヤ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 萩野 平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999153911
Publication number (International publication number)：2000030434
Application date： Jun. 01, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 一セルに複数ビットを記憶可能な磁気メモリセルを提供すること。【解決手段】磁気メモリセル内の特定の論理状態とデータ記憶層の特定の磁化方向とに対応する磁区構造である、少なくとも3つの磁区構造を提供するように予め選択された形状をとり得るデータ記憶層と、データ記憶層の磁区構造を識別するように予め選択されている方向の角度に決定された、一定の磁化方向を有する基準層と、を備える一セルに複数ビットを記憶可能な磁気メモリセルである。

Claim (excerpt)：

複数ビットを記憶可能な磁気メモリセルであって、それぞれ特定の磁化方向に対応した少なくとも3つの磁区構造を提供するように予め選択された形状を有するデータ記憶層と、前記データ記憶層の磁区構造を識別するために予め選択された方向の角度に決定された一定の磁化方向を有する基準層と、を有することを特徴とする磁気メモリセル。