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J-GLOBAL ID：200903045161978620

超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法

Inventor： 秋山 守人 ,  上野 直広 ,  立山 博 ,  砂川 佳敬 ,  梅内 芳浩 ,  地主 啓一郎
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  オムロン株式会社 ,  株式会社フルヤ金属
Agent (2)： 今下 勝博 ,  岡田 賢治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002160568
Publication number (International publication number)：2004006535
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】本発明は、ガラス基板等の安価な基板上に密着層を介さずにW層で下部電極を形成することにより、ヒロックやクラック、剥離がなく、しかもc軸に超高配向した窒化アルミニウム薄膜を形成させた高性能の圧電素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に下部電極、圧電体薄膜、上部電極を順次形成した積層構造を有するヒロック、クラック及び剥離のない圧電素子であって、下部電極は基板面に対してWの(111)面が平行である配向性W層で形成し、且つ圧電体薄膜はロッキングカーブ半値幅(RCFWHM)が2.5°以下のc軸配向窒化アルミニウム薄膜で形成したことを特徴とする超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極、圧電体薄膜、上部電極を順次形成した積層構造を有するヒロック、クラック及び剥離のない圧電素子であって、前記下部電極は基板面に対してWの(111)面が平行である配向性W層で形成し、且つ前記圧電体薄膜はロッキングカーブ半値幅(RCFWHM)が2.5°以下のc軸配向窒化アルミニウム薄膜で形成したことを特徴とする超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子。

IPC (4)：

H01L41/09 ,  C23C14/34 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

FI (4)：

H01L41/08 C ,  C23C14/34 N ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z

F-Term (10)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA13 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05