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J-GLOBAL ID：200903045168545931

半導体ウエハの洗浄方法

Inventor： 沖 一郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009883
Publication number (International publication number)：1998209101
Application date： Jan. 23, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来の洗浄装置では、高圧容器内で減圧されて、洗浄物質が超臨界状態から気体状態に変化すると、洗浄物質中に溶出している汚染物質の溶解度が低下して、ウエハ表面や高圧容器の内壁に汚染物質が付着する逆汚染が生じる。【解決手段】 まず、被洗浄ウエハ100は高圧洗浄容器101内の冷却、加熱機構を備えたウエハステージ102に置かれる。CO2を、加熱器108で35〜40°Cに加熱し、超臨界流体とし、注入口109から高圧洗浄容器101内に送る。また、CO2固体微粒子を、超臨界流体をキャリアとして、注入口114より高圧洗浄容器内に送られて、被洗浄ウエハ表面に噴出される。

Claim (excerpt)：

洗浄容器内で、被洗浄半導体ウエハ表面に、超臨界状態の洗浄物質をさらしつつ、上記洗浄容器内よりもより高圧で形成した洗浄物質の固体微粒子を噴射して洗浄することを特徴とする、半導体ウエハの洗浄方法。