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J-GLOBAL ID：200903045178851674
半導体製造装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995245629
Publication number (International publication number)：1997181045
Application date： Sep. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】本発明では、経時的にエッチングレートが変化せず、制御性のあるエッチング処理を行うことが出来る半導体製造装置の提供を目的とする。【解決手段】半導体基板21をエッチングする半導体製造装置において、放電管1と、放電管1 中に半導体基板21をエッチングする数種類のガス7 を導入する導入管5 と、放電管1 中にマイクロ波を導波する導波管3 と、放電管1 中でマイクロ波により発生したガスの活性種を放電管1 外部へ接続する輸送管13と、ガスの少なくとも1つのガスを構成する元素と放電管1 を構成する元素からなる化合物から構成され且つ輸送管内表面に形成された膜15とを有する。そのため半導体基板の経時的なエッチングレートの低下を防ぐことが出来る。
Claim (excerpt)：
放電管と、前記放電管中にガスを導入する導入管と、前記放電管中にマイクロ波を導波する導波管と、前記放電管中で前記マイクロ波により発生した前記ガスの活性種を前記放電管外部へ接続する輸送管と、前記ガスを構成する元素と前記放電管を構成する元素からなる化合物から構成され且つ前記輸送管内表面に形成された膜とを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 D
