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J-GLOBAL ID：200903045180409350

シリコンウエーハの結晶評価方法

Inventor： 村上 義男 ,  塩多 孝明 ,  新行内 隆之
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 桑井 清一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991282147
Publication number (International publication number)：1993102273
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウェーハの結晶欠陥の分布についての知見を得ることができるシリコンウェーハの結晶評価方法を提供する。【構成】 シリコンウェーハ1のドライ酸化膜2の異なる膜厚、例えば15nm、25nm、35nm、50nmの膜厚に対応したBモード不良率をそれぞれ求め、これらのBモード不良率と上記ドライ酸化膜2の膜厚とからシリコンウェーハ1の欠陥密度を求める。次に、上記Bモード不良率を上記ドライ酸化膜2の膜厚で微分処理を施して、シリコンウェーハ1の体積欠陥密度を求める。次いで、この体積欠陥密度とドライ酸化膜2の膜厚とをグラフ化する。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハの膜厚の異なる酸化膜に対応したBモード不良率をそれぞれ求め、これらのBモード不良率と上記酸化膜の膜厚とからシリコンウェーハの欠陥密度を求めることを特徴とするシリコンウェーハの結晶評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26