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J-GLOBAL ID:200903045206680805

半導体レ-ザ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997314231
Publication number (International publication number):1999135892
Application date: Oct. 30, 1997
Publication date: May. 21, 1999
Summary:
【要約】【課題】 半導体レ-ザ素子にダメ-ジを与えることなく、この半導体レ-ザ素子を放熱体に固着する半導体レ-ザ装置を提供する。【解決手段】 半導体レ-ザ素子2を金属ろう材11を介して放熱体10上に固着した半導体レ-ザ装置1において、半導体レ-ザ素子2は、放熱体10と対向する側に凹凸部7aを形成する。
Claim (excerpt):
半導体レ-ザ素子を金属ろう材を介して放熱体上に固着した半導体レ-ザ装置において、前記半導体レ-ザ素子は、前記放熱体と対向する側に凹凸部を形成したことを特徴とする半導体レ-ザ装置。
IPC (3):
H01S 3/18 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/40
FI (3):
H01S 3/18 ,  H01L 21/52 A ,  H01L 23/40 F

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