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J-GLOBAL ID：200903045213596526

気相成長ナノスケールカーボンチューブ製造法及び装置

Inventor： 西野 仁 ,  中岡 春雪 ,  松井 丈雄
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001102671
Publication number (International publication number)：2002293524
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 カーボンナノチューブ、アモルファスナノスケールカーボンチューブ等のナノスケールカーボンチューブを比較的低温で且つ低コストで製造する。【解決手段】炭素源をニッケルからなる熱分解触媒と加熱下接触させて得られる分解物と金属系触媒及び/又はハロゲン化鉄とを加熱して気相成長法によりカーボンナノチューブを得るか、または、該分解物、ハロゲン化鉄及び熱分解性樹脂を加熱して気相成長法によりアモルファスナノスケールカーボンチューブを得る。

Claim (excerpt)：

炭素源をニッケルからなる熱分解触媒と加熱下接触させて得られる分解物と金属系触媒及び/又はハロゲン化鉄とを500〜1000°Cで加熱してカーボンナノチューブを得ることを特徴とするナノスケールカーボンチューブの製造方法。

IPC (6)：

C01B 31/02 101 ,  B01J 23/755 ,  B01J 27/128 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/127

FI (6)：

C01B 31/02 101 F ,  B01J 27/128 M ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/127 ,  B01J 23/74 321 M

F-Term (29)：

4G046CA02 ,  4G046CA04 ,  4G046CC03 ,  4G046CC08 ,  4G069AA02 ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BB08A ,  4G069BB08B ,  4G069BC66A ,  4G069BC66B ,  4G069BC68A ,  4G069BC68B ,  4G069BD12A ,  4G069BD12B ,  4G069CD10 ,  4G069EA01X ,  4G069EA01Y ,  4G069EA12 ,  4L037CS03 ,  4L037FA03 ,  4L037FA04 ,  4L037FA05 ,  4L037PA05 ,  4L037PA06 ,  4L037PA11 ,  4L037PA12 ,  4L037PA13 ,  4L037PA28