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J-GLOBAL ID：200903045223714411

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 辻 和隆 ,  鮫島 賢二 ,  中野 泰 ,  牧島 達男 ,  大島 徹也 ,  久保田 節 ,  加藤 務 ,  丸山 裕孝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日本放送協会
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316271
Publication number (International publication number)：1995169931
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】別々のプロセスで作製された二つ以上の電子装置部が電気的に接続されて一体化した構造の半導体装置において、簡単な構造と作製法で良好な接合特性を得る。【構成】例えば撮像装置の光電変換部となる第1の電子装置部101と、走査回路部となる第2の電子装置部103とを、多孔質または微粒子状の半導体層105を介して電気的に接続した構造とする。接続方法としては、接合部を構成する半導体層105を、これら何れか一方の電子装置部の接続面上に形成しておき、相互の接続面を対向させ押圧して圧着すれば良い。なお、多孔質または微粒子状の半導体層105としては、押圧により形状変形を伴う、例えばSb2Te3、Sb2S3、Sb2Se3、As2S3、As2Se3等のカルコゲン化合物を主体とする半導体層が用いられる。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1の機能を有する電子装置部と、第2の機能を有する電子装置部との電気的接続部を相対向、接続して成る半導体装置であって、前記相対向する電気的接続部間に多孔質状もしくは微粒子状の半導体層を介挿し、電気的接続部を押圧することにより断面圧縮され、緻密化された半導体層を介して複数の電子装置部間を電気的に接続して成る半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/0264

FI (2)：

H01L 27/14 E ,  H01L 31/08 N